BC858B دیتاشیت

BC858B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC858B
حجم فایل 43.955 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت BC858B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BC857B 4 pages

BC857B 3 pages

BC857B 5 pages

BC858B 4 pages

ST(Semtech) BC858B 3 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. BC858B
  • Transistor Type: PNP
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA

محصولات مشابه